- 次は前工程に入ります。
前工程とは、ウェハ上に製造するICチップ（数100～1,000個）の中身を形成する工程の総称をいいます。
最近の半導体デバイスは、小さな四角いスペースに数十億個のトランジスタを集積しています。高集積化は微細化により実現するため、前工程では最先端の微細化技術が求められています。 
- 設計工程で設計した回路パターンを転写するために、ウェハに酸化膜を形成します。
高温（900～1,000℃）の拡散炉で、ウェハを酸化性雰囲気にさらし、表面に酸化膜を成長させます。
- 回路パターンを転写するために、フォトレジストという感光剤をウェハの表面上に塗布します。
スピンコーターとよばれる高速回転装置で、フォトレジストを薄く均一に塗布し、感光しやすいようにします。
- 回路が描かれているフォトマスクを介して、パターンをウェハの表面に転写します。
ステッパーとよばれる露光機を使用して、写真を焼付ける原理でパターンを形成します。
これは、微細化技術の中心工程の一つです。
- 露光した後で、不要な酸化膜を取り除くことをエッチングといいます。
エッチングは「極細の穴を深く掘る」イメージの工程で、化学・物理反応を活用します。
プラズマは あまり見ないほうが良いらしいです。
- 髪の毛の1 /2,000のサイズで穴を掘るため、微細化技術で最も難易度が高い工程の一つといわれています。
- エッチング処理後、トランジスタなどの半導体素子を形成するために、シリコン酸化膜形成、不純物注入（イオン注入機）などの処理を行います。
イオン注入や高温拡散処理を行うと、シリコンが露出している部分が半導体になります。
- ウェハの表面を研磨して、パターンのデコボコを平坦にします。
フォトレジスト塗布からCMP(Chemical Mechanical Polishing)までの工程を繰り返し、トランジスタなどの素子を作ります。 
- ウェハ表面に、電極配線用のアルミ金属膜を作ります。
プラズマガスでアルミターゲットをスパッタリング（物理反応での成膜）して、アルミ金属膜を形成します。
- ウェハ上にできたICチップは、テスターとよばれる装置を使ってチップごとに検査し、良品・不良品を分けます。
不良品にはマークを付けて、識別できるようにします。
