- 次は後工程に入ります。
後工程とは、前工程が完了した後の工程を総称したものです。
シリコンウェハ上に製造したICチップを一個一個切り刻んで、最終製品（半導体デバイス）まで仕上げます。 
- ウェハ上のICチップをチップごとに切断して、仕上がりをチェックします。
切断には、ダイヤモンド・ブレードとよばれるのこぎりを使用します。
- ダイシングが完了した良品チップを、リードフレームなどの回路基板に一個一個導電性接着剤（電気抵抗が小さい接着剤）で貼り付けます。
- ICチップと外部との電気信号のやり取りを行うため、チップの表面外周部に配置されたボンディングパッドと、リードフレーム側のリード電極を金・アルミなどの細線で一つずつ接続します。
- ICチップの傷や衝撃を抑えるために、セラミック・モールド樹脂（封止材）でパッケージして保護します。
- 金型でリードフレームから個々の半導体デバイスを切断・分離して、外部リードを所定の形状に成型します。
- 初期不良を取り除くために、機能テストを行いながら温度・電圧ストレスの加速試験を行います。
バーンイン・ボードという場所にパッケージをセットして、テストします。
- 電気的特性検査・外観構造検査などを行い、不良品を取り除きます。
また、環境試験・長期寿命試験などの信頼性試験を行います。 
- 半導体デバイスの表面に、レーザーで品名を印字します。
- やっと完成しました！
シリコン・ウェハが前工程工場に投入されて、半導体デバイスが完成するまでに、約45日間を要します。
