• 表面氧氮化设备
  • XORS，是利用了FOI的最新技术，装备了平衡性ICP等离子体源的面向300mm的硅表面氧氮化设备。通过组合使用高密度平衡性ICP等离子体源、极高清洁度的制程反应室、及陶瓷制的反应载台，可以形成晶圆面内均一性0.5％～1.0％，平均厚度20埃以下的氧氮化膜。
    将XORS应用于存储器线路制程，可以有效的帮助改善成品率。
    可完全满足FA(GEM、GEM300)要求。